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3DNAND大连造55亿美元投资将带来怎样的回报?

说到SSD,其中最为重要的显然就是闪存.长期以来各类SSD的闪存大多是由东芝、三星、英特尔、美光等国外厂商提供.不过与处理器、GPU等只在国外制造的核心产品、元器件不同,近几年一些大型半导体厂商也开始在中国建设NAND闪存工厂如英特尔从2015年底开始,将为它的大连工厂投资总计55亿美元,专门用来升级转型,专注于闪存颗粒的生产,那么这些“Madein China”的闪存颗粒到底具备怎样的水准?未来还会有哪些闪存颗粒将在中国生产呢?或许近期英特尔在大连召开的两款新—代数据中心级固态盘发布会就能为我们带来答案.

那么在寿命上,由英特尔中国大连工厂生产的闪存颗粒表现又如何?未来还会有哪些闪存颗粒将在中国生产呢?接下来本刊对来自英特尔的技术专家、非易失性存储器解决方案事业部副总裁兼全球制造总经理Keyvan Earjani先生、英特尔公司非易失性存储器解决方案事业部副总裁兼英特尔半导体(大连)有限公司总经理Richard A. Howarth先生进行了专访.

MC:DC P4500、P4600这两款数据中心级固态盘所使用的“大连”颗粒在寿命上的表现是怎样的?

英特尔技术专家:闪存方面,两款SSD都针对云计算设计,搭配的都是在大连生产的32层3D NAND TLC颗粒,单颗Die容量即达48GB.不过由于两款SSD定位不同,因此它们的使用寿命也有所不同.其中DG P4500系列主要针对读取应用,它在整个质保期内可承受的每日写入量约为0.7DWPD(每日整盘写入次数);而DC P4600系列主要面向读写混合应用,它在整个质保期内的每日写入量约为3DWPD(每日整盘写入次数).大家可以参考我们的规格表,换算成可写入TB容量的话,其指标是远超普通TLC SSD的.

MC:我们注意到,之前在第三代数据中心级固态盘以及消费级750固态盘上使用的都是18通道主控芯片,那么为什么在新一代SSD上采用的却是12通道控制器?

英特尔技术专家:通道数量固然重要,但每个通道处理数据的能力也很重要,现在新一代12通道控制器可以支持最新的ONFI 4.0闪存接口标准,闪存接口传输速度从ONIFI 3.0的400MB/s提升到800MB/s.同时,12通道控制器由两颗性能更强的Cortex-A15核心组成,因此它的运算执行能力也会更强.未来除了在企业级固态盘上广泛使用这款控制器外,在消费级市场上也有可能出现类似750这样,使用1 2通道控制器,性能更加惊人的消费级SSD.

MC:大连生产的3D NAND与其他厂商的3D闪存颗粒有什么区别吗?

Keyvan Earjani:与3D闪存相比,英特尔大连生产的3D闪存通过CMOS下置阵列技术,以及全新研发的浮栅结构可以存储更多的数据,这也是英特尔3D NAND单颗Die容量即达48GB的秘诀.同时我们还将很快投入第二代3D NAND的生产.第二代3D NIANID仍保持与第一代闪存类似的架构,但会堆叠更多的层数到64层.SSD的容量将获得更大的提升,成本则将进一步下跌,预计这类闪存将于201 8年投严.

MC:大连工厂未来将主要生产哪类闪存芯片?

Richard A. Howarth:英特尔现在主要有三个工厂生产闪存,大连与英特尔在新加坡建立的闪存厂FAB 10将主要生产3D NAND闪存颗粒.而英特尔与美光在美国犹他州的合作工厂则停掉了所有2D闪存的生产,将主要负责3D XPoint相关芯片的生产,因此大连工厂是整个英特尔SSD 3D闪存颗粒的一个重要来源.

MC:英特尔对大连工厂进行55亿美元投资的主要目的是什么,都花在哪些地方?

Keyvan Earjani:我们在2015年10月宣布的这55亿美元投资、花费都是为了生产3D闪存所准备的,3D闪存已成为普通SSD的核心元器件.

MC点评:可以看到得益于英特尔的技术、投资,在大连生产的3D闪存已经具备不错的品质.从指标来看,DC P45001TB SSD的可写入容量达到1330TB、DC P4600 1.6TB SSD的可写入容量达8520TB,远远高于普通TLC产品,完全可以胜任在云计算数据中心上的应用,英特尔的55亿美元投资回报已经开始显现.同时英特尔对大连工厂的55亿美元投资除了可提升自身在SSD方面的竞争力以外,更能带动区域经济发展,为高端制造注入新动力.就如大连市委常委、金普新区管委会王强主任所说的那样,“这是大连市和英特尔多年来密切合作取得的又一双赢成果.”毕竟随着经济的发展,中国的人才素质也越来越高,国外IT厂商完全可以抛弃对中国的传统偏见,不要将合作仅仅停留在电脑、手机的组装上,而应利用中国的人才、成本优势,开展更为高层的制造与技术合作,像英特尔+大连这样的模式可以来得更多一些.

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